技術(shù)編號：7165027

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本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)已知形成在相同襯底上的具有異質(zhì)雙極晶體管(在下文中有時簡單地稱為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT))的雙極場效應(yīng)晶體管(BiFET)器件和場效應(yīng)晶體管(在下文中有時簡單地稱為FET)。通過使用其中制造HBT的半導(dǎo)體外延層和制造FET的半導(dǎo)體外延晶圓形成在相同化合物半導(dǎo)體襯底(諸如GaAs襯底)上的外延晶圓制造BiFET器件。通過使用包含在外延晶圓中作為蝕刻停止層的InGaP層的選擇性濕蝕刻形成用于布置FET的柵極的凹部。與使用AWaAs層...
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