技術編號:7165026
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體結構及其制作工藝,特別是涉及一種具有含氟的金屬層的半導體結構及其制作工藝。背景技術在現(xiàn)有半導體產(chǎn)業(yè)中,多晶硅廣泛地應用于半導體元件如金氧半導體(metal-oxide-semiconductor,M0S)晶體管中,作為標準的柵極填充材料選擇。然而,隨著MOS晶體管尺寸持續(xù)地微縮,傳統(tǒng)多晶娃柵極因硼穿透(boron penetration)效應導致元件效能降低,及其難以避免的空乏效應(depletion effect)等問題,使得等效的柵...
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