技術編號:7161665
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體集成電路及其制造領域,尤其涉及。背景技術低溫二氧化硅廣泛應用于半導體的加工制造之中。該二氧化硅是通過硅烷(SiH4) 與一氧化二氮(隊0)在一定的等離子體環境下進行反應而成,由于該二氧化硅的反應溫度通常小于250°C,所以二氧化硅廣泛被作為光阻上方的硬掩膜層使用。圖1是本發明背景技術中低溫二氧化硅內的Si-H鍵被氧化成Si-OH鍵的結構示意圖;如圖1所示,在較低的淀積溫度之下,所淀積的二氧化硅薄膜中含有大量的Si-H鍵, 而當該低溫二氧化硅...
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