技術編號：7161639

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本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種具有一富銅黃銅礦型化合物層(P-型CIGS半導體層)與一銅瘠黃銅礦型化合物層(η-型CIGS半導體層)的。背景技術黃銅礦型化合物，例如CuInSe2、Cu(InxGal-x) (SeyS2-y)及 Cu(InxAll-x)(SeyS2-y)等CIGS(Cu-1n-Ga-Se或_S)化合物，因具備高光電效率和低成本等優(yōu)點而常被用來制造光電元件，例如太陽能電池的半導體吸附層。傳統(tǒng)做為太陽能電池的CIGS光電兀件通常包括一堿石灰玻璃...
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