技術編號：7157898
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于微電子，涉及鐵電功能薄膜材料、半導體器件，具體指一種增強型GaN異質結場效應晶體管。背景技術作為一類新型的寬禁帶半導體材料，GaN具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、 載流子遷移率高、抗輻射能力強等特點，在微電子與光電子器件中有廣泛的應用。基于其自身所具有的較強的壓電極化和自發極化，在非有意摻雜的情況下，AWaN/GaN異質結中能夠形成濃度高達IO13CnT2的二維電子氣。因此，GaN基材料在大功率密度、高頻、高速電子器件領域具有極其廣泛的應用...
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