技術編號：7145681
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路技術。背景技術抗單粒子CMOS集成電路及制備方法，涉及集成電路。隨著空間技術以及核技術的發展，越來越多的電子設備需要在各種輻射環境下應用。同時，隨著集成電路特征尺寸的縮小、器件頻率的提高以及工作電壓的降低，由單粒子所引起的軟錯誤已成為影響集成電路可靠性的主要問題之一。特別是單粒子撞擊電路敏感節點所引起的瞬態電流脈沖(SET)，將會引起邏輯電路功能發生錯誤。在瞬態電流脈沖效應中，電流脈沖的時間寬度是最主要的參數，所以如何降低瞬態電流脈沖寬度...
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