技術編號：7144612
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及CM0S(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)半導體器件工藝，尤其涉及。背景技術在CMOS半導體器件工藝中，隨著器件尺寸的不斷變小，對工藝的要求也越來越高。濕法刻蝕的穩定性也變得越來越重要。 目前CMOS工藝中，淺溝道絕緣層(shallow trench isolation, STI)工藝仍然被廣泛的應用。如圖I. 1-1. 5所示為典型的STI工藝的結構圖。首先，圖I. I示出了...
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