技術編號：7141659
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種光電探測器的結構及制作方法，特別涉及一種與深亞微米射頻標準互補金屬氧化物半導體(RF_CMOS)工藝完全兼容的硅基光電探測器結構。背景技術 目前主流接收機均為化合物光電探測器，它與硅基接收機專用集成電路之間用金屬線鍵合(WIRE BONDING)混合集成。混合集成使探測器附近的表面有凸出的壓焊線，限制了光纖耦合的活動范圍，并且通常一個壓焊盤的面積為100×100μm2，產生了較大的寄生電容。本發明不僅可以實現光接收機全硅化的單片集成，而且可以...
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