技術編號：7130326
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于涉及一種無機納米材料的制備方法，特別是涉及一種二氧化錫晶態薄膜的制備方法。背景技術 二氧化錫作為一種重要的功能半導體陶瓷，可用于制備氣體敏感元件、透明導電薄膜、熱反射材料等多種功能元件。目前常用的制備二氧化錫薄膜的方法，包括有蒸發技術、濺射技術和化學氣相沉積技術等，這些技術或是需要復雜的真空設備，技術工藝復雜，或是制備成本高，耗能大，而目前被廣泛用于制備各種半導體陶瓷薄膜的溶膠凝膠技術，雖然操作工藝簡單，但需要高溫煅燒工藝對薄膜進行后續熱處理，以...
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