技術編號：7116141
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明系與一具有溝渠絕緣的半導體組件及其相關的制造方法有關，且特別是與一具有溝渠類型的半導體組件、底部接觸連接主動屏蔽、以及其相關的制造方法有關。背景技術 特別用于定義半導體基板中有源區域的絕緣通常由被稱為是局部氧化區域(LOCOS，Local Oxidation of Silicon)的厚氧化物膜層形成；然而當整合密度增加時，則不適合使用這種傳統的LOCOS方式，這是因為這樣的方式有高度的面積需求；更甚者，當絕緣層形成于一橫向于該等有源區域方向的方向時，...
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