技術(shù)編號(hào)：7113450

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相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)要求2002年4月19日提交的臨時(shí)申請(qǐng)No.60/374,218的優(yōu)先權(quán)。背景技術(shù)為形成先進(jìn)的半導(dǎo)體裝置如微處理器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，往往需要在硅片或其它基材上形成薄膜。常用的向基材上沉積薄膜的各種技術(shù)包括PVD(“物理汽相淀積”或“濺射”)和CVD(“化學(xué)氣相淀積”)。經(jīng)常使用的有幾種CVD方法，包括APCVD(“常壓CVD”)、PECVD(“等離子增強(qiáng)CVD”)和LPCVD(“低壓CVD”)。LPCVD一般是一個(gè)熱激活化學(xué)過(guò)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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