技術編號：7110610
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及顯示，特別是涉及。背景技術目前，Oxide TFT (氧化物薄膜晶體管)的應用已經被實現。Oxide TFT技術是將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體如IGZO(Indium GalliumZinc Oxide,銦鎵鋅氧化物)，以形成TFT半導體層。目前Oxide TFT主要有BCE型(BackChannel Etched,背溝道刻蝕型)和ES型(Etch Stopper,刻蝕阻擋型)兩種結構，其中BCE型的Oxide...
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