技術編號：7107199
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種溝槽頂部傾斜角形成的工藝方法，特別是涉及一種。背景技術針對在RFLDM0S (射頻橫向擴散型金屬氧化場效應管)厚場氧隔離介質層工藝中， 通過深溝槽刻蝕形成單晶硅溝槽的等間隔排列，然后通過熱氧化過程把等間隔排列的單晶硅溝槽部份氧化成二氧化硅，然后填入二氧化硅或多晶硅，從而形成大面積的厚場氧隔離介質層。為了控制硅片的應力，垂直的深溝槽可以有效的降低應力，由于后續是在溝槽內填入二氧化硅或多晶硅，因此，尖銳的深溝槽頂部輪廓在后續氧化膜生長完后，深溝槽...
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