技術編號：7106780
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明總體上涉及用于處理半導體基片的方法和裝置。 背景技術光刻膠是ー種在ー些制造エ藝中用于在處理過程中在例如半導體晶片等エ件上形成帶圖案涂層的光敏材料。在將光刻膠涂層的表面暴露于高能輻射圖案之后，光刻膠的部分被去除以呈現出下面的表面，使得其余表面受到保護。可以在露出的表面和其余的光刻膠上進行諸如蝕刻、沉積和離子植入等半導體處理。在進行ー種或多種半導體處理之后，在剝離操作中去除其余的光刻膠。發明內容本文提供了減少硅晶片或其它基片的錯位的基于氫氣的光刻膠剝離操...
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