技術編號：7103421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種基于硅基深刻蝕工藝的三維MEMS超級電容器制造方法。背景技術超級電容器(超電 容)是介于傳統電容器和蓄電池之間的一種新型儲能裝置，具有功率密度大、充放電時間短、循環壽命長、低溫性能好等優點。超電容的軍用和民用應用領域非常廣泛，小到微米級別的無線傳感器，大到火箭衛星的啟動裝置都離不開超電容。據Lux的最新研究表明，超電容器有巨大的市場潛力，整個超電容器市場收入有望從2008年的2. 08億美元突破到2014年的8. 77億美元。小型的超電容可以...
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