技術編號：7099995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體集成電路的制造領域，尤其涉及。背景技術在半導體集成電路制造工藝中，側墻(Spacer)是制作半導體CMOS器件必需的一個結構，不僅能夠保護柵極，搭配上淺摻雜(Lightly Doped Drain,簡稱LDD)工藝,還能夠很好地降低短溝道效應。目前，傳統的側墻工藝較多采用二氧化硅和氮化硅的復合層(其中氮化硅是外層)，而到了 65納米工藝及其以下工藝時，對于氮化硅薄膜的沉積要求越來越高，不僅需要低溫沉積制程(小于30(T60(TC)，還需要其...
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