技術編號：7099889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及由氮化鎵(GaN)或鎵與其它金屬的混合氮化物組成的化合物半導體 層，以及形成所述化合物半導體層的方法。本發明還涉及包含化合物半導體層的電子或光 電子裝置及其制造方法。本發明的可廣泛地界定為在襯底上形成高質量氮化物薄 膜的氮化物薄膜結構，以及形成所述氮化物薄膜結構的方法。背景技術元素周期表中的第三族到第五族元素的氮化物半導體在電子和光電子裝置領域 占據重要地位，而且這些領域未來將更加重要。氮化物半導體的應用領域實質上涵蓋從激 光二極管(laser ...
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