技術編號：7099024

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本發明 屬于CMOS超大集成電路(ULSI)中的場效應晶體管邏輯器件與電路領域，具體涉及ー種利用自適應方法有效結合金屬-氧化層-硅場效晶體管(MOSFET)電流的隧穿場效應晶體管(TFET)及其制備方法。背景技術隨著MOSFET的尺寸不斷縮小，當進入納米尺度以后，器件的短溝道效應等負面影響也愈加嚴重，使得器件關態漏泄電流不斷増大。同吋，由于傳統MOSFET的亞閾值斜率受到熱電勢的限制無法隨著器件尺寸的縮小而同步減小，存在60mV/dec的理論極限，使得泄漏...
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