技術編號：7098852
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體場效應晶體管，尤其涉及一種雙層隔離的混合晶向反型模式半導體納米線MOSFET。背景技術通過縮小晶體管的尺寸來提高芯片的工作速度和集成度、減小芯片功耗密度一直是微電子工業發展所追求的目標。在過去的四十年里，微電子工業發展一直遵循著摩爾定律。當前，場效應晶體管的物理柵長已接近20nm，柵介質也僅有幾個氧原子層厚，通過縮小傳統場效應晶體管的尺寸來提高性能已面臨一些困難，這主要是因為小尺寸下短溝道效應和棚極漏電流使晶體管的開關性能變壞。納米線場效應...
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