技術編號：7098123
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及高注入下紫外半導體發光二極管量子阱中溢出電子的阻擋與內量子效率的保持，尤其是一種漸變電子阻擋層的紫外光氮化鎵半導體發光二極管。背景技術紫外半導體發光二極管，由于其發光波長很短，相對藍光和綠光而言，禁帶寬度大。金屬鎂在氮化鎵中的激活能在200meV左右，已經非常之大,在鋁氮中則達到630meV之巨。單質娃在氮化鎵中的激活能僅為15meV,在招氮中卻達到282meV之巨(John Simon etal, SCIENCE vol 327，Jan. 20...
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