技術編號：7098092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種。背景技術絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已被廣泛應用于民用家電，工業控制，機車牽引，軍用電子等等的領域，已經成為中、大功率電力電子領域最主流的器件。其中溝槽(Trench)型IGBT是流行的器件之一，Trench技術提高了器件的元胞密度，降低了溝道電阻，而且消除了平面MOS技術中的JFET電阻，可為內部的PNP晶體管提供更大的基極電流，從而降低了開關損耗。 溝槽型功率器件與平面器件相比，最大的改進就是具有溝槽柵極。而隨...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。