技術編號：7087044
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于半導體照明，特別是指一種納米無熒光粉氮化鎵白光發光二 極管的制作方法。背景技術氮化鎵材料是第三代半導體材料，禁帶寬度為3. 4ev,由于它的性質穩定，又是波 長位于藍紫光的直接帶隙發光材料，因此是制造藍紫光發光二極管(LED)，高遷移率晶體管 的材料，國家半導體照明把氮化鎵材料列為中心。但是目前發光二極管面臨著很大的問題， 藍光激發黃光熒光粉方法得到白光發光二極管是目前產業界紛紛采用的。由于熒光粉本 身的發光效率，熒光粉的專利問題，以及熒光粉顯色...
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