技術編號：7065234
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種與ZnO薄膜高效匹配的LED芯片結構，包括襯底和在襯底上形成的外延層，其特征在于所述的外延層上包括接觸層和形成于接觸層上的ZnO透明導電層，所述的接觸層由本征AlxInyGa1-x-yN、P型AlxInyGa1-x-yN和N型AlxInyGa1-x-yN的一種材料層組成或由兩種或三種材料層組成超晶格層，同時也介紹了該接觸層的制作方法，其含量通過改變In源流量、Al源流量、生長溫度和生長壓力等參數來實現。本發明所提供的ZnO-LED芯片結構，...
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