技術編號：7063378
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種霍爾條微器件。該霍爾條微器件包括襯底；凸臺，位于襯底上并具有預定的霍爾條形狀，并具有平整的上表面；以及薄膜層，由拓撲絕緣體材料在凸臺的表面上外延生長而成，且具有與凸臺相對應的形狀。本發明在制備三維拓撲絕緣體薄膜器件時，驚奇地發現，摻雜磁性元素Cr后，(BixSb1-x)2Te3材料變成了鐵磁性的絕緣體。采用摻Cr的(BixSb1-x)2Te3材料作為薄膜層制備來三維拓撲絕緣體薄膜器件，拓撲絕緣體具有邊態，在極低的溫度條件下就可以測量量子反常...
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