技術編號：7051429
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種GaN基半導體器件及其制造方法。 背景技術氮化鎵基半導體器件的制造工藝中，目前廣泛采用一種倒裝技術來生產垂直電極 結構的半導體芯片，即在生長襯底上生長氮化鎵基半導體外延層后，將外延片倒裝到支撐 襯底上，然后剝離掉生長襯底。這樣生產出來的半導體芯片的支撐襯底作為電路的一部分。 在上述過程中需要用到的支撐通常為成本較為低的硅襯底或者是導熱性更好的 金屬襯底。支撐襯底的選擇，要考慮到導熱導電性以及襯底與氮化鎵外延層的膨脹系數，同 時還要考慮襯底的...
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