技術(shù)編號(hào)：7046819

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，包括多晶硅、APF層圖形結(jié)構(gòu)、氮化硅和氧化硅層圖形結(jié)構(gòu)等，在多晶硅和初始氮化硅圖形結(jié)構(gòu)的表面采取原子層沉積技術(shù)沉積一層8～12納米厚的氧化硅，利用氣體干法刻蝕和濕法刻蝕，實(shí)現(xiàn)多晶硅上節(jié)距23～28納米內(nèi)的8～12納米線寬的小尺寸氧化硅圖形結(jié)構(gòu)；該制備方法能保證氧化硅圖形結(jié)構(gòu)的平整度，并能保證小尺寸深槽內(nèi)的介質(zhì)材料被完全祛除干凈，同時(shí)保護(hù)溝槽底部及周圍圖形不受損傷，以提高溝槽深度的均勻性，減少了圖形結(jié)構(gòu)中存在柵欄、皺紋或者琢面的缺陷，提高了半導(dǎo)體器件的集成...
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