技術編號：7045621
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供一種用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，包括下述步驟提供已經完成TSV盲孔結構制造的襯底；對襯底進行背面減薄，并利用刻蝕工藝使得TSV背面端頭突出于襯底背部表面；在襯底背面涂覆一層背面介質層，覆蓋襯底背面和突出襯底背部表面的TSV背面端頭；利用CMP工藝對背面介質層進行平坦化處理并使TSV露出；利用刻蝕工藝處理露出的TSV，形成TSV和背面介質層的臺階；在襯底背面淀積粘附層和種子層；利用TSV和介質層的臺階進行微凸點或RDL光刻對準，...
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