技術編號：7029330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于制備半導體、光電材料和包括薄膜太陽能電池的裝置的方法和組合物。特別地，本發明涉及用于制備CIGS和其它太陽能電池的沉積方法和包含聚合前體的組合物。背景技術—種制造太陽能電池產品的方法，涉及在襯底上沉積一層薄的、光吸收的被稱作“CIGS”的銅銦鎵二硒的固體層。具有薄膜CIGS層的太陽能電池可提供低至中效的光電轉換。制造CIGS半導體通常需要使用幾種包含CIGS所需原子的源化合物(sourcecompound)和/或單質。該源化合物和/或單質必須...
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