技術編號：7007369
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供了具有不均勻P型雜質分布的MOS器件，其中，一種集成電路結構包括半導體襯底、位于半導體襯底之上的柵極堆疊件和延伸至半導體襯底中的開口，其中，開口與柵極堆疊件相鄰。硅鍺區被設置在開口中，其中，硅鍺區具有第一p型雜質濃度。基本上不含鍺的硅罩覆蓋硅鍺區。硅罩具有高于第一p型雜質濃度的第二p型雜質濃度。專利說明具有不均勻P型雜質分布的MOS器件 [0001 ] 本發明總的來說涉及集成電路，更具體地，涉及具有不均勻P型雜質分布的MOS器件。 背景技...
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