技術編號：6999977
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及功率用半導體裝置。 背景技術對于IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管)等的功率用半導體裝置來說，由于進行處理的功率較大，所以，其通電損失所引起的發熱較大。因此，半導體襯底的溫度上升較大，此外，導通/截止動作所引起的溫度變化也較大。當溫度上升、溫度變化等較大時，導致引線接合部等的疲勞，使功率循環壽命降低。此外，所謂功率循環壽命是表示功率用半導體裝置的可靠性的指標之一，表示由于與動作相伴的...
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