技術編號：6993217
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種用于汽相淀積低介電絕緣層的方法，更具體地涉及一種通過在用于形成半導體裝置保護層的CVD或PECVD過程中加入硅烷氣體(SiH4)可顯著地提高低介電絕緣層的汽相淀積速度的用于汽相淀積低介電絕緣層的方法。背景技術 薄膜晶體管基片在液晶顯示器、有機EL(電致發光)顯示器等作為獨立驅動每個像素的電路基片使用。薄膜晶體管基片包括用于傳送掃描信號的掃描信號布線和用于傳送圖像信號的圖像信號線或數據布線、與柵極布線及數據布線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接...
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