技術編號：6991796
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。依據本發明的實施例大體上屬于半導體裝置。背景技術為了節約功率，降低晶體管中功率損耗是很重要的。在金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)裝置中，并且尤其在被熟知為功率MOSFET的MOSFET種類中，可通過降低裝置的漏極到源極的接通電阻(Rdson)來降低功率損耗。分柵式功率M0SFET，也被公知為屏蔽柵極溝槽式M0SFET，利用外延層中較大的摻雜濃度來降低Rdson。分柵式功率MOSFET結合溝槽式柵極，該溝槽式柵極包括第一電極(例如，多晶硅，或多晶...
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