技術編號：6990521
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明一般涉及在電子元件的制造中使用的半導體材料襯底，尤其是硅片的制備。更具體地說，本發明涉及一種用于處理硅片的方法，所述方法使晶片能在基本上是任何任意電子器件制造過程的熱處理周期中形成一種理想的氧沉淀物非均勻深度分布。背景技術 單晶硅是用于制造半導體電子元件的大多數方法的原始材料，單晶硅通常用所謂的直拉法制備，其中將單晶籽晶浸入熔融的硅中和然后通過緩慢提拉生長。因為熔融的硅裝在一個石英坩堝中，所以它被各種雜質污染，其中雜質主要是氧。在硅熔融體的溫度下，氧...
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