技術編號：6983054
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種蝕刻方法，其將具有SiC部分或SiN部分的被處理體，例如將具有作為屏蔽層的SiC膜或者SiN膜和在其上形成的層間絕緣膜的半導體晶片收容到處理容器中，利用蝕刻氣體的等離子體來蝕刻被處理體的SiC部分或者SiN部分。 背景技術 在半導體元件的布線工序中，在布線層間形成層間絕緣膜，為了導通布線層蝕刻層間絕緣膜。這種情況下，在層間絕緣膜層之下形成作為屏蔽層的SiC膜或SiN膜。然后，為了形成布線圖案，在層間絕緣膜上連續蝕刻SiC膜或SiN膜的情況下...
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