技術編號：6977555
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明是關于半導體加工領域的，特別是關于用于控制硅膜的沉積的一種方法和設備。背景技術附圖說明圖1描繪了一種靠輻射加熱的半導體基片加工腔室的一個實例。該類加工腔室內工藝壓力一般小于或接近100乇。單基片反應器100包括頂壁132，側壁133和底壁134，這使反應器100能加載一個單基片，例如晶片102。晶片102裝在由馬達137帶動旋轉的基座(susceptor)105上，以便為一般是圓片狀的晶片102提供一個時間均勻化的環境。基座和晶片被加熱，工藝氣體通過...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。