技術(shù)編號(hào)：6973177
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。廣泛而言，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置制造的領(lǐng)域，更具體地，涉及一種控制蝕刻選擇性的方法和裝置。背景技術(shù) 現(xiàn)今的潮流不斷地致力于減少半導(dǎo)體裝置，例如晶體管的尺寸或比例以增加集成這種晶體管的整體速度。一種傳統(tǒng)的集成電路裝置，如微處理器，一般由形成于半導(dǎo)體基片表面上的數(shù)百萬(wàn)晶體管所構(gòu)成。許多現(xiàn)代集成電路裝置均被高密度地封裝，換言之，在基片上形成的晶體管彼此之間留有很少的空間。半導(dǎo)體裝置的制造需要一些分離的處理步驟以由半導(dǎo)體原始材料形成一封裝半導(dǎo)體裝置。不同的處理包括半...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。