技術編號：6957447

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本發(fā)明涉及晶體硅P型表面的鈍化方法，特別是N型電池P+發(fā)射結表面的鈍化方法。 背景技術晶體硅P型表面的鈍化技術是指在通過在晶體硅P型表面或P+發(fā)射結表面生長 或沉積介質(zhì)層，從而有效的降低晶體硅P型表面或P+發(fā)射結的表面復合速率。目前晶體硅太陽能電池主要是以P型晶體硅為襯底的傳統(tǒng)太陽能電池，涉及到的 鈍化主要是N+發(fā)射結表面的鈍化；而目前的PECVD SiNx可以有效的降低N+發(fā)射結的表面 復合速率，同時可以提供良好的陷光效果，已經(jīng)在得到廣泛的使用。與P型晶...
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