技術編號：6957277
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電子束輻照提高LED發光強度的方法。本發明采用GJ-15型地那米電 子加速器產生的電子束對LED進行輻照，將會在在半導體材料內引進缺陷中心，這些缺陷 中心在一定條件作為復合中心增大載流子輻射復合的幾率，提高LED發光強度。屬于光電 子和半導體。背景技術LED是半導體照明的核心，是一種重要的固態光源，具有低成本，長壽命，小尺寸， 極快的響應速度，耐震抗沖擊，綠色環保，使用安全等優點。因此提高LED的發光強度，使之 成為第三代照明光源，是國內外電子領...
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