技術編號：6955560
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及的是一種半導體的制造方法，特別涉及的是一種NMOS晶體管的制造方法。背景技術隨著半導體器件集成度的不斷提高，其特征尺寸逐漸減小，源/漏極以及源/漏極延伸區(Source/Drain Extension)相應地變淺，當前工藝水平要求半導體器件的源/漏極結的深度小于1000埃，而且最終可能要求結的深度在200埃或者更小的數量級。結深的減小要求更低的熱處理溫度，而更低的熱處理溫度(小于500攝氏度， 甚至更低)使得結的橫向尺寸隨之減小，所述結的橫向尺寸...
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