技術編號：6951209
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造，特別涉及一種。 背景技術目前，磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器，其在許多應用中有著傳統存儲器例如動態隨機存取存儲器(DRAM)、閃存等無法比擬的優點。MRAM的磁性存儲單元為磁性隧道結(MTJ)，位于底電極之上，如圖1所示。圖1為包括MTJ的MRAM單元的結構示意圖。晶體管101位于半導體襯底100上，晶體管的源極或者漏極通過導電拴102與底電極103電性連接，磁性隧道結104位于底電極103之上，且要求磁性隧道結1...
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