技術(shù)編號(hào)：6950946

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本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種NMOS晶體管的制作方法。 背景技術(shù)在未來(lái)的一段時(shí)間內(nèi)，硅基互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)仍將是集成電路制造的主流技術(shù)。在使用CMOS技術(shù)來(lái)制造復(fù)雜的集成電路期間，有數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管(亦即，N溝道晶體管與P溝道晶體管)形成于包含結(jié)晶半導(dǎo)體層的基板上。無(wú)論考量的是N溝道晶體管還是P溝道晶體管，MOS晶體管都含有所謂的PN接面(junction)， 其由以下兩者的界面形成高濃度摻雜的漏極/源級(jí)區(qū)，設(shè)置于該...
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