技術編號：6947130
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明一般地涉及半導體器件制造領域，具體地，涉及向半導體器件提供電功率 的電網結構及其制造方法。背景技術隨著諸如晶體管(例如，硅鍺(SiGe)異質結雙極晶體管(HBT)和/或各種類型的 場效應晶體管(FET))的半導體器件的性能的不斷改進，對各種類型的半導體器件的電功 率或電流供給的需求也不斷增加。通常，通過一組電互連供給在半導體芯片上制造的這些 半導體器件所使用的電流，這組電互連的作用就像半導體芯片的“電網”，因此在下文中也 如此稱呼這組電互連。電網將電...
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