技術編號：6940528
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體，尤其是涉及是一種在GaSb襯底上生長的3至5微米 中波段InAs/GaSb超晶格紅外探測器及其制作方法。背景技術隨著科學技術的進步，各種波段適用多種用途的紅外探測器逐漸發展起來，目前 在戰略預警、戰術報警、夜視、制導、通訊、氣象、地球資源探測、工業探傷、醫學、光譜、測溫、 大氣監測等軍用和民用領域，紅外探測器都有廣泛的應用。但是當前最常用的硅摻雜探測 器、InSb、QWIP、MCT等紅外探測器，都要求在低溫下工作，需要專門的制冷設備，造價...
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