技術編號：6938481
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造，特別涉及一種防止晶圓表面不平及曝光中失焦 的方法。背景技術半導體制造工藝中，光刻和刻蝕工藝得到廣泛的應用，光刻的過程主要包括形成 光刻膠層；使用光刻機對光刻膠層進行圖案化；以所述圖案化之后的光刻膠層為掩膜進行 刻蝕；刻蝕之后將剩余的光刻膠去除。隨著工藝水平的不斷提高，器件的特征尺寸(CD， critical dimension)在不斷減小，特別是進入90nm工藝以后，光刻膠層圖案化過程中的 聚焦問題越來越重要，聚焦不準或者失焦(def...
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