技術編號：6938326
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體集成電流制造，特別涉及提高金屬氧化物半導體場 效應晶體管及其制造方法。背景技術金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)，是一種可以廣泛使用在 類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的 極性不同，可分為n-type與p_type的MOSFET...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。