技術編號：6936920
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種半導體元件及其制造工藝，且特別是涉及一種浮置柵極結構、非 易失性存儲器結構以及制造非易失性存儲器的制造工藝。背景技術由于非易失性存儲元件具有小尺寸、高操 作速度以及在不提供電源時能夠保存數 據的能力，因此非易失性存儲元件被廣泛地應用于儲存數據的各種電子產品中。大部分現 有的非易失性元件是使用浮置柵極來儲存數據，且當工藝線寬為40納米或更大時，浮置柵 極會具有矩形剖面。然而，如在下文中將解釋，當以現有的光光刻極限將線寬縮小至約30 納米或是在未...
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