技術編號：6930078
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種BiCMOS(雙極CMOS)半導體器件制造工藝，尤其涉及一種通過 BiCMOS工藝中用雙極晶體管發射極多晶硅制作PIP電容的方法。背景技術在目前的半導體工業界，有多種方法制作電容器，包括有MOS電容，PIP電容，MIM 電容等，而為了滿足客戶對電容特性，低成本等要求，PIP電容已被廣泛的運用，因為相對于 MOS電容來講，其電容特性好，線性度強，而且MOS電容需要用熱過程生長高摻雜的氧化層， PIP電容只需要用CVD (化學氣相沉積)生長，相對...
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