技術編號：6927464
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種激光器，特別是一種兩體式基座半導體激光器。 背景技術目前，通信用半導體激光器的用戶對激光器的高溫熱特性的要求越來越高，一方面用戶的電路板上提供給半導體致冷器(TEC)的最高電壓不能超過2.6V， 電流不能超過1.2A。另一方面用戶往往要求激光器能工作到管殼實際溫度高達 85°C。若半導體激光器的熱負載過大，當激光器的管殼溫度達到85'C時，TEC 的電壓會遠大于2.6V，而這時板子已不能向TEC正常地提供足夠的電流。因此 TEC就不能正常泵浦...
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