技術(shù)編號(hào)：6921974

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本發(fā)明涉及，更具體地說(shuō)，涉及在使用等離子體處理裝置制造稱為鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FeRAM， Ferroelectric Random Access Memory )的強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件，或者傳感器、致動(dòng) 器(actuator)、振蕩器、濾波器等壓電元件等時(shí)，可以有效地除去附著在 將高頻功率輸入到真空容器內(nèi)的電介質(zhì)部件上的生成物，且大幅減少顆粒的 同時(shí)，提高處理能力的。本申請(qǐng)以日本特愿2007-145018號(hào)為基礎(chǔ)申請(qǐng)，將其內(nèi)容合并于此。背景技術(shù)目前，存在...
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