技術編號：6905480
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于微電子，涉及半導體器件，特別是基于m-v族化合物半導體材 料異質結結構的凹槽絕緣交疊柵異質結場效應晶體管，可用作微波、毫米波通訊系統以 及雷達系統的基本器件。背景技術業內周知，由m族元素和v族元素所組成的半導體材料，即m-v族化合物半導體材料，如氮化鎵(GaN)基、砷化鎵(GaAs)基、磷化銦(InP)基等半導體材料，它們的禁帶寬度往往差異較大，因此人們通常利用這些m-v族化合物半導體材料形成各種異質結結構。 由于在異質結中異質結界面兩側的m-v...
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